我们手机中使用的存储空间，以及电脑的SSD硬盘，其核心是3D NAND这种存储芯片。

与其它逻辑芯片不同，NAND存储芯片的进步，是不能无限的微缩芯片工艺的，比如不能说从10nm进入5nm、3nm这些。

因为研究表明，当芯片工艺达到一个极限，这个极限大约是15-18nm，然后当工艺越先进，工艺数字越来越小时，存储芯片越不稳定。

而存储芯片需要的就是稳定，所以不会无限缩小工艺。

既然不能无限缩小工艺，那如何来提高性能呢，厂商们采用的是3D 堆叠技术，也就是有了32层3D NAND闪存，64层、96层，128层，196层，232层……，堆叠的层数越多，技术越先进，速度越快，存储密度越高。

曾经中国厂商长江存储，是全球第一家量产232层 3D NAND闪存的厂商，比三星、美光等还先进。

然后美国害怕了，对长存进行打压，限制半导体设备厂商们，将先进芯片设备卖给长存，限制其发展。

但是近日，知名机构techinsights对长存的ZhiTai SSD TiPro9000 进行拆解时发现，长存再次突破，量产出了294层的3D NAND闪存，这或许也是全球第一家首发294层NAND闪存的厂商。

长江存储是怎么做的呢？采用的是“Xtacking 4.0”技术，利用混合键合技术，将150层和144层的存储单元混合拼接，直接键合(混合键合)，使用两块晶圆，最终做到了294层。

这种方式，不仅能增加存储密度，提高存储速度，还能提升生产效率，更重要的是，不需要依赖先进的设备了，绕开了美国的封锁。

前段时间，传出消息称，三星找长存授权，要使用长存的专利，指的就是这种混合键合技术，因为随着存储芯片的堆叠层数越来越高，直接在一块晶圆上叠加多层，越来越难了，都是多块晶圆进行键合，实现更高的层数。

由此可见，中国芯片技术是真的崛起了，美国的打压，也许短时间确实造成了影响，但从长远来看，却逼着中国企业不断的创新，最后实现了弯道超车，最终全面崛起，摆脱依赖。