去胶机

去胶机是一种利用等离子体技术进行表面清洗和去胶的设备，广泛应用于材料科学、电子与通信技术等领域。其主要功能是通过气体放电产生等离子体，这些高能粒子能够解离化学键、改变分子结构，从而有效去除材料表面的污染物、有机物等杂质。

工作原理

等离子去胶机通过射频电源产生高频电磁场，使气体分子电离形成等离子体。这些等离子体中含有大量高能电子、离子和自由基等活性粒子，能够与材料表面的污染物发生化学反应，将其分解成小分子并去除。

物理轰击：在等离子体环境中，存在着大量的高能离子和电子。这些带电粒子在电场的作用下加速，以较高的能量轰击晶圆表面的光刻胶。光刻胶分子在高能粒子的撞击下，化学键被打断，分子结构被破坏，从而使光刻胶从晶圆表面脱落。

化学反应：等离子体中还包含着各种活性自由基和化学基团。这些活性物质与光刻胶分子发生化学反应，将光刻胶分子转化为挥发性的化合物。例如，氧气等离子体中的氧自由基与光刻胶中的碳氢化合物发生反应，生成二氧化碳和水等挥发性物质，这些物质可以通过真空泵抽出反应腔，从而达到去除光刻胶的目的。

晶圆用等离子去胶机

晶圆等离子处理设备优势特点

干法去胶：整个处理过程在干燥环境下进行，处理完成后可直接进入下一道工序。

处理速度快：整个处理过程只需几秒到几十秒，具体时间根据需求及工艺决定。

低温处理：处理过程中温度较低，不会对产品本身造成损坏。

环保：相比湿式处理，等离子去胶避免了化学药剂的废弃物处理，更加环保。

安全无害：处理过程不产生污染，不会对人体造成伤害。

精确去除光刻胶：能够实现对晶圆表面光刻胶的高效、精确去除，不会对晶圆本身造成损伤，满足半导体制造中对高精度工艺的要求。在制造纳米级别的芯片结构时，等离子去胶可以准确地去除特定区域的光刻胶，为后续的蚀刻、沉积等工艺提供干净的晶圆表面。

提高生产效率：相比传统的湿法去胶工艺，等离子去胶具有更高的去除速度和更好的均匀性，可以大大缩短工艺时间，提高生产效率。同时，等离子去胶是一种干法工艺，不需要使用大量的化学试剂，减少了废水处理等后续环节，降低了生产成本和环境污染。

改善表面质量：等离子去胶过程中，由于高能粒子的轰击和化学反应的作用，不仅可以去除光刻胶，还可以对晶圆表面进行一定程度的清洗和活化，改善晶圆表面的微观结构和化学性质，有利于后续薄膜沉积等工艺的进行，提高薄膜与晶圆表面的附着力和均匀性。